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第234章 参观生产线(下)(1 / 1)

“当芯片加工制程进入到7nm的时候,如果只是单纯的缩小晶体管尺寸,漏电量会大到难以承受。所以我推断,在7nm工艺节点上,必须设计一种全新的晶体管结构,以降低量子隧穿效应,减少漏电。而现在主流的eda软件中,均没有引入这一设计,想要短期内设计出7nm芯片,基本没有可能。”胡总也说出了他的推断,这一点和现实情况基本相符。

为了解决7nm以下晶体管漏电问题,全球各家顶尖芯片研发实验室、晶圆代工厂,提出了多种不同的解决方案,其中比较经典的是finfet,中文名称为鳍式场效应晶体管。使用这种全新的架构可以有效的降低晶体管电极之间的漏电现象,将芯片制程推进到3nm,甚至2nm的程度。当然这些都是十年后的研发进展,在12年的当下,finfet还只是一种理论猜想,即使个别团队做出了这种结构的晶体管,也仅限于实验室,并没有应用到实际的芯片生产上。

“不知道你们有没有听说过finfet工艺,它可以极大的增加单位尺寸的晶体管密度,并有效降低晶体管漏电。这条芯片生产线上现在正在生产的内存芯片,就是基于finfet技术设计的,生产出来的内存颗粒,发热量极小,超频性能极其优秀。”乔瑞达从兜里拿出一枚指甲盖大小的内存颗粒,展示给现场的众人。

胡总从乔瑞达手中接过内存颗粒,饶有兴趣的观看着,“2glpddr3,如此小的一颗内存颗粒,竟然有2g大小,7nm制程工艺真是利害。这个finfet我听说过,国外有个别芯片实验室,已经在晶圆上加工出了这种鳍式场效应晶体管,参数确实非常的优秀,可以在一定程度解决晶体管漏电问题。只是我还未听说过,任何一家晶圆厂,将finfet技术应用在芯片的实际生产中,你们是如何做到的。”

“这个就说来话长了,早在拿到这台euv光刻机的时候,我们瑞达科技就着手研究7nm芯片的生产技术。为了解决晶体管漏电难题,我们设计了一款全新的finfet架构,并申请了专利。这款内存芯片,就是基于这个专利设计出来的。目前我们瑞达科技研发部,正在编写一款纯国产的eda软件,其中就包括了7nm,甚至5nm芯片的设计功能。等到eda软件编写完成,我可以免费授权给你们使用,咱们共同开发,共同改进,争取做出一款适合国人使用的eda软件。”

瑞达科技研发部软件研发小组,和芯片研发小组,自从放完带薪假期,回到公司之后,乔瑞达就将研发eda软件的任务交给了他们。有着乔瑞达提供的大量研发资料和实际芯片设计图做参考,软件的研发进度非常的快,测试版本的eda软件,应该很快就能编写完成,到时候拿给龙芯和海思两家公司,就当是免费找了两家实力强劲的软件测试机构了。如果这两家公司,使用这款eda软件,真的设计出了7nm芯片设计图,也只能拿到瑞芯晶圆厂来流片试产。在软件上省的钱,早晚通过芯片代工业务赚回来,反正乔瑞达绝对不亏。

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